[发明专利]一种电磁场辅助激光解键合的方法在审
| 申请号： | 202210241724.X | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114582781A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张国平;王方成;刘强;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/56;B23K26/12;B23K26/362;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电磁场辅助激光解键合的方法，包括以下步骤：将键合的晶圆对置于电场和磁场中，其中，所述键合的晶圆对包括由光敏材料形成的键合层、承载晶圆和器件晶圆；采用激光发生器对所述键合的晶圆对的目标区域进行照射，使所述键合层产生的等离子体在电场和磁场的作用下向所述承载晶圆偏转。本发明基于激光诱导光敏材料产生的等离子体在电磁场中的可控运动，通过设置电场和磁场的方向和强度使等离子体在电磁场下向承载晶圆偏转，导致等离子体的浓度从承载晶圆至器件晶圆轴向上的梯度递减，促进解键合过程，本发明不仅具有操作简单、高效、可靠等优点，所制备的器件晶圆清洗后表面无损伤，且良品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁场 辅助 激光 解键合 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院，未经深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210241724.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于互联网的线上教学装置
- 下一篇：一种资源回收处理方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
