[发明专利]一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片在审
| 申请号： | 202210244203.X | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115070512A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨红英 | 申请（专利权）人： | 北京爱瑞思光学仪器有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 100162 北京市大兴区大兴经济开发区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片，用于同时对锗晶片进行双面抛光，其中，包括：第一粗抛工序采用第一粗抛光液和第一抛光布；第二粗抛工序采用第二粗抛光液和第一抛光布；第一精抛工序采用第一细抛光液和第二抛光布；第二精抛工序采用第二细抛光液和第二抛光布；各工序中转速的关系为：第一粗抛工序＜第二粗抛工序＜第一精抛工序＜第二精抛工序；第一抛光布的硬度大于第二抛光布的硬度；各工序中抛光温度为35℃～40℃。本申请实施例提供的锗晶片的双抛工艺，采用两次粗抛和两次精抛的组合方式，通过匹配不同的参数，实现化学抛光和机械抛光之间的匹配，实现锗晶片的快速抛光，并取得较好的精抛表面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 工艺 装置 | ||
【主权项】：
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