[发明专利]一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源在审
申请号: | 202210248766.6 | 申请日: | 2022-03-14 |
公开(公告)号: | CN114531013A | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 赵凤俭 | 申请(专利权)人: | 飞锃半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/14;H02M1/36;H03K17/687 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 樊文娜;刘荣娟 |
地址: | 201306 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请技术方案提供一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,包括:功率回路,被配置为输入直流电压并将所述直流电压变换为一路直流正压和一路直流负压输送至所述驱动电路,所述功率回路还连接输入侧地和输出侧地;控制回路,与所述功率回路连接,被配置为采集所述直流正压和所述直流负压以及所述功率回路的电流并进行处理,且基于处理结果调整输出的脉冲宽度,以使所述直流正压和所述直流负压稳定输出;供电回路,与所述控制回路和所述功率回路连接,被配置为向所述控制回路供电;共模干扰耦合与疏导回路。本申请技术方案能够满足SiC MOSFET驱动电路对正负电平不对称供电的需求,使驱动电路直接输出双极性的正负电平不对称驱动信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic mosfet 驱动 电路 供电 电源 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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