[发明专利]一种亚10nm间隙电极对的制备方法在审
申请号: | 202210254670.0 | 申请日: | 2022-03-15 |
公开(公告)号: | CN114649204A | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 涂学凑;刘梦欣;康琳;贾小氢;张蜡宝;赵清源;陈健;吴培亨 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/027;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 封睿 |
地址: | 210093 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提出了一种亚10 nm间隙电极对的制备方法,根据三角形电极对尖端角度不同将电极对尖端设计为交叠/零间距/不交叠等结构;通过电子束光刻得到电极对图案,利用电子束蒸发系统沉积金属;将沉积金属后的电极对放置在SEM中进行热处理,通过电子束的辐照热效应调节电极对顶角间的间距,从而得到亚10 nm间隙电极对。本发明中的制备方法简单易操作,而且可以在观察电极对形貌的同时可控地调节电极对间隙,得到想要的电极对间距,完全克服了当前亚10 nm间隙电极对尖端相互粘连和间隙尺寸难于精确控制的制备工艺难题。 | ||
搜索关键词: | 一种 10 nm 间隙 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
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