[发明专利]一种自偏压光电探测器及其制备方法和应用

摘要

本申请公开了一种自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为硫化镉形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层。本申请的自偏压光电探测器，采用硫化镉作为光敏半导体层，二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛作为阻挡半导体层，CdS层具有良好的光敏特性，配合二氧化钛形成半导体结，可以减低漏电流，提高光电响应效应。本申请的自偏压光电探测器具有高可靠性、低正向工作电压和高光萃取效率的优点。