[发明专利]空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置在审
| 申请号： | 202210256713.9 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114692068A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 朱映彬;庄宗南;方泽江;姚若河;刘玉荣;耿魁伟 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G06F17/11 | 分类号： | G06F17/11;G06F17/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑宏谋 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 空间电荷 效应 二次电子 倍增 影响 计算方法 装置 | ||
【主权项】：
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