[发明专利]一种GaS薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种GaS薄膜及其制备方法和应用，所述GaS薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用化学气相沉积法，Ga2S3蒸气经过氢气还原后，在物理限域结构中的衬底上吸附、成核、晶核成长，制得所述GaS薄膜；所述物理限域结构包括两片上下平行设置的衬底。本发明提供的GaS薄膜的制备方法通过采用CVD法和物理限域结构相结合，实现制备出的GaS薄膜的厚度可控、结晶良好、生长均匀，该制备方法简单易操作，成本低廉，适用于大批量推广应用。本发明通过优化CVD工艺参数和空间限域间距，制备出厚度在0.1μm‑30μm内可调的、结晶良好的、生长均匀的GaS薄膜。