[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法在审
| 申请号： | 202210257137.X | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114335156A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 肖冰滨 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离。本发明实施例提供的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET，其栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离，具有High‑KMetalGate工艺，特别是能与28nm以下的CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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