[发明专利]功率半导体器件及其应用在审
| 申请号： | 202210258377.1 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114823907A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈昭铭;夏经华;张安平 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室;东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘珍 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，功率半导体器件包括：基体，基体内设有第一金属区、源区、栅氧介质层和栅电极区，栅氧介质层包绕栅电极区，源区位于第一金属区与栅氧介质层之间且源区的侧壁分别与第一金属区和栅氧介质层接触，第一金属区、源区、栅氧介质层与栅电极区的表面与基体的一侧表面平齐，基体和源区具有同一导电类型，基体的材料的功函数小于第一金属区的材料的功函数；绝缘介质层，绝缘介质层设置在栅氧介质层、栅电极区以及源区上。上述功率半导体器件结构中，第一金属区与基体间形成了肖特基体二极管，避免了双极退化现象，还可以耗尽栅电极区的漂移区，使半导体器件成为常闭型器件，减少半导体器件的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 应用 | ||
【主权项】：
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