[发明专利]一种光电晶体管及其感光方法在审
| 申请号： | 202210259636.2 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114615445A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;彭志超;廖聪维;梁键;邱赫梓;安军军 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H04N5/341 | 分类号： | H04N5/341;H04N5/353;H04N5/369;H04N5/378;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京威禾知识产权代理有限公司 11838 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有光电响应的光电晶体管，包括逐层堆叠的衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、和顶栅电极；其中所述有源层包括具有光记忆功能的半导体材料，在所述有源层中包括沟道和源漏区域；其中在光照阶段和积分阶段，所述光电晶体管的底栅电极和顶栅电极电压不同，且使所述光电晶体管处在关态工作区；所述积分阶段至少包括曝光结束后的第一预设时间段；其中所述具有光记忆功能的半导体材料包括金属氧化物半导体。本发明还涉及一种利用双栅光电晶体管感光的方法，其中所述双栅光电晶体管的有源层材料包括具有光记忆功能的材料。本发明还涉及一种图像传感器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电晶体管 及其 感光 方法 | ||
【主权项】：
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