[发明专利]中空结构结合电子消耗策略传感器的构建有效
申请号: | 202210268542.1 | 申请日: | 2022-03-18 |
公开(公告)号: | CN114674891B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 颜梅;苗培;张晶;秦成坤;马廷滨;刘明霞;吕艳锋 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/327;G01N27/416;G01N33/542;G01N33/574 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250022 *** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种中空结构结合电子消耗策略传感器的构建方法,首先合成了中空结构ZnCdS/ZnIn |
||
搜索关键词: | 中空 结构 结合 电子 消耗 策略 传感器 构建 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学,未经济南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210268542.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种测试HJT电池片是否失效的方法
- 下一篇:一种数字化农业灌溉装置