[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210269347.0 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115116941A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | A·卡莫斯;O·斯托贝克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;陈岚 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种形成半导体器件的方法。该方法包括提供半导体结构（102）。该方法还包括直接在半导体结构（102）的部分上形成辅助层（104）。硅和氮是辅助层（104）的主要成分。该方法还包括在辅助层（104）上形成导电材料（106）。导电材料（106）包括AlSiCu、AlSi或钨，并且经由辅助层（104）电连接到半导体结构（102）的该部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
