[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210270769.X | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN114823847A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 林威;沈剑飞 | 申请（专利权）人： | 华为数字能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 刘辰雷;陈霁 |
| 地址： | 518043 广东省深圳市福田区香蜜湖街道香*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：衬底；位于衬底之上P型半导体层；位于P型半导体层之上，且和P型半导体层接触的缓冲层；位于缓冲层之上的沟道层；位于沟道层之上的势垒层；以及源极、栅极和漏极；其中，P型半导体层和源极连接。该半导体器件可以有效抑制电流坍塌，保持性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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