[发明专利]在晶片上生长外延层的方法在审
| 申请号： | 202210272676.0 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115148598A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 姜东昊;金根怜 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 付尉琳;张鑫 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例提供在晶片上生长外延层的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将至少一个晶片引入处理腔室中，(b)在使用升降杆支撑晶片的同时将晶片装载到与基座邻近的区域，(c)预加热晶片，以及(d)将晶片放入基座的袋中并加热晶片，以在晶片上沉积外延层，其中，步骤(a)和步骤(b)中的基座上方的第一灯的输出和基座下方的第二灯的输出被设置为与步骤(c)和步骤(d)中的第一灯的输出和第二灯的输出不同。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 生长 外延 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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