[发明专利]二维半导体材料的转移方法在审
| 申请号： | 202210274087.6 | 申请日： | 2022-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN114649200A | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 邓香香;黄春晖;颜泽毅;范斌斌;胡城伟;李晟曼;吴燕庆 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维半导体材料的转移方法，包括：在生长衬底上制备二维半导体材料，得到二维半导体材料/生长衬底结构；旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构；保持转移环境湿度大于50％RH，将目标区域的PMMA固化胶层/二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构，经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后，用氮气枪吹干，得到二维半导体材料/目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移，既保证二硫化钼的转移效率，还避免褶皱和污染的引入，有效提升转移后单层二硫化钼半导体晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 半导体材料 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
