[发明专利]提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置有效
申请号: | 202210275458.2 | 申请日: | 2022-03-21 |
公开(公告)号: | CN114361157B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 蔡水河;吴坤泰 | 申请(专利权)人: | 常州欣盛半导体技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 朱丽莎 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种提升驱动装置静电放电能力的方法及驱动装置,驱动装置包含电路基板以及驱动晶片;电路基板包括晶片设置区、连接至一电源端的一第一传输路径以及连接至一地端的一第二传输路径;驱动晶片包括多个连接垫以及分别耦接至多个连接垫的多个静电放电电路;多个连接垫分别耦接至该晶片设置区上对应之多个设置垫;其中,一第一静电放电路径将多个静电放电电路之正端连接至该电源端;其中,该第一传输路径与该第一静电放电路径并联设置。该驱动装置具有在不增加驱动晶片本体的抗静电/静电放电能力的情况下,提升驱动装置整体的抗静电/静电放电能力的优点。 | ||
搜索关键词: | 提升 驱动 装置 静电 放电 能力 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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