[发明专利]一种共烧氮化铝陶瓷基板的制备方法有效
申请号: | 202210275481.1 | 申请日: | 2022-03-21 |
公开(公告)号: | CN114538932B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 杨大胜;施纯锡 | 申请(专利权)人: | 福建华清电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C04B35/582 | 分类号: | C04B35/582;C04B35/622;C04B41/88 |
代理公司: | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 赖开慧 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及电子陶瓷基板领域,提供一种共烧氮化铝陶瓷基板的方法,解决现有技术的共烧氮化铝陶瓷热导率不高、烧结温度过高导致能耗大的缺陷。包括以下制备步骤:(1)配料球磨:将氮化铝粉体、烧结助剂送入球磨机中球磨处理;(2)脱泡:将球磨好的浆料陈腐2-3h后送入脱泡机进行脱泡至浆料粘度达到20000~23000mPa·s;(3)流延成型:将步骤(2)处理后的浆料送入流延机进行流延成型,并静置6-8h;(4)冲片;(5)叠压:根据厚度需求对经过印刷后的生坯片进行解压;(6)排胶:将经过步骤(5)处理后的生坯片放入氮气保护排胶炉中,在氮气气氛下进行排胶至碳含量到2000ppm以下;(7)烧结。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
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