[发明专利]紫外光探测器及制备方法在审
| 申请号： | 202210276225.4 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN114864732A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 刘兴钊;王思杰;任羿烜;令康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0336;C23C14/04;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
紫外光探测器及制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术。本发明的探测器包括设置于蓝宝石衬底上表面的NiO层，在NiO层的上表面设置有异质结区域和电极区；在异质结区域，由ZnGa |
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| 搜索关键词： | 紫外光 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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