[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202210276732.8 | 申请日： | 2022-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN115132833A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 小西和也;曾根田真也;西康一;新田哲也;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，目的在于提供能够降低导通损耗的技术。半导体装置具有包含漂移层的半导体衬底和在半导体衬底设置的基极层、接触层及源极层。栅极部隔着第1栅极绝缘膜而设置于与接触层、源极层、基极层及漂移层接触的第1沟槽内。在栅极部设置有底部比侧部更远离基极层的凹部。第1绝缘部设置于第1沟槽内的栅极部的凹部内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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