[发明专利]半导体封装件和制造方法在审
| 申请号： | 202210281518.1 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114843230A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 鲍新宇;鲁立忠;李志纯;张丰愿;山姆·瓦齐里;黄博祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/373;H01L23/16;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体封装件和制造方法。公开了包括高热导率模制化合物的封装半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一再分布结构；第一管芯，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；第一贯穿过孔，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；绝缘层，沿着第一再分布结构、第一管芯以及第一贯穿过孔延伸；以及密封剂，位于绝缘层之上，该密封剂围绕第一贯穿过孔的一部分和第一管芯的一部分，该密封剂包括浓度范围为按体积计70％至约95％的导电填料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
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