[发明专利]一种低损耗YIG材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210284071.3 申请日: 2022-03-22
公开(公告)号: CN114644516A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 刘颖力;汪鑫;殷齐声 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622;C04B35/63
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 敖欢
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种低损耗的YIG材料及制备方法,材料结构式为Y2.7Ca0.3Fe(4.7‑x)Sn0.3O12,其中,0≤x≤0.325。制备方法包括以下步骤:(1)预烧料的制备:(2)二次球磨;(3)成型,烧结:1.本发明采用Sn4+离子取代八面体位的Fe3+以降低各向异性常数和铁磁共振线宽。同时,对于缺铁量设置梯度,以降低八面体(a位)和四面体(d位)间的铁离子之间的电子转移,从而降低材料的介电损耗。最终得到了低成本样品且其铁磁共振线宽为127Oe,介电常数为15.6,介电损耗正切为4×10‑4,本发明通过Sn4+离子取代八面体位Fe3+离子,增大铁氧体材料的分子磁矩,得到YIG样品饱和磁化强度为1865Gs。
搜索关键词: 一种 损耗 yig 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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