[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210285654.8 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975780A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 萧琮介;沈香谷;萧远洋;赖英耀;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括金属绝缘体金属(MIM)电容器。MIM电容器包括：多个电极，多个电极包括一或多个第一电极以及一或多个第二电极；以及一或多个绝缘层，设置于相邻的多个电极之间。MIM电容器设置于层间介电(ILD)层中，且ILD层设置于基板上方。一或多个第一电极连接至第一通孔电极的侧壁，其中第一通孔电极设置于ILD层中，而一或多个第二电极连接至第二通孔电极的侧壁，其中第二通孔电极设置于ILD层中。在一或多个上述或下列实施例中，一或多个绝缘层包括高k值介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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