[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210286222.9 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975262A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 詹咏翔;黄文宏;廖善美;林揆伦;陈建豪;游国丰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括多个半导体层的堆叠，垂直配置于半导体基底结构上；栅极介电层，具有多个部分各自围绕半导体层的一者；以及栅极，围绕栅极介电层。栅极介电层的每一部分具有顶部位于个别的半导体层上，以及底部位于半导体层下。顶部具有沿着垂直于半导体基底结构的上表面的垂直方向的顶部厚度，且底部具有沿着垂直方向的底部厚度。顶部厚度大于底部厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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