[发明专利]单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法有效
| 申请号： | 202210287527.1 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114635181B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 杨政;王新强;秦现东;景华玉;张正 | 申请（专利权）人： | 双良硅材料(包头)有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张柳 |
| 地址： | 014062 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及一种单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法。所述单晶炉的水冷热屏结构包括：单晶炉炉盖；在所述单晶炉炉盖上方的喉口处设置有充气法兰；所述充气法兰设置有气体进口；与所述炉盖滑动配合的环状水冷热屏；设置在所述环状水冷热屏内部的盘旋状气管；气体进入所述充气法兰，经过所述盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面。本发明在炉盖上方喉口法兰处增加一条气路，气路沿盘旋状气管环绕在环状水冷热屏内部，气体流出后以环流形式吹向液面。此设计增大了换热面积的同时引入气体换热，提升结晶潜热的带走速率，从而提升单晶生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 水冷 结构 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
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