[发明专利]一种等离子体源以及半导体反应设备在审
| 申请号： | 202210287875.9 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114783851A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 项习飞;余先炜;田才忠;林保璋 | 申请（专利权）人： | 盛吉盛半导体科技（北京）有限公司;盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/08 | 分类号： | H01J37/08;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市竞天公诚律师事务所 11770 | 代理人： | 陈果 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种等离子体源以及半导体反应设备，该等离子体源包括中央衬套以及多个线圈，多个线圈从中央衬套螺旋地延伸以围绕中央衬套，多个线圈上的相邻线圈曲线之间的间距被设置为由中央衬套向外部逐渐增大。本发明能够产生均匀的磁场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 以及 半导体 反应 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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