[发明专利]一种碳化硅基高阻值电阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210294747.7 | 申请日： | 2022-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN114678348A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郤育莺;崔艳霞;胡鲲;田媛;李国辉;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 王宇航 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅基高阻值电阻器，包括半绝缘4H‑SiC型碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的硅面和碳面上设置有对称的原子级厚度的氧化铝绝缘层，所述氧化铝绝缘层的厚度为0.2nm‑2nm，所述氧化铝绝缘层的两侧蒸镀导电的金属电极，所述金属电极的厚度为100nm‑500nm。本发明采用上述结构的一种碳化硅基高阻值电阻器，在半绝缘碳化硅衬底上制作欧姆接触电极，获得阻值在100TΩ以上的电阻，满足精密测量行业的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 阻值 电阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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