[发明专利]LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管在审
| 申请号： | 202210296082.3 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114400184A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET晶体管的制作方法及LDMOSFET晶体管。所述方法包括：在硅衬底上形成第二掺杂类型的埋层，在第二掺杂类型的埋层上进行第一次外延掺杂形成第二掺杂类型的第一外延层；在第一外延层上进行第二次外延掺杂形成第一掺杂类型的第二外延层；对第一掺杂类型的第二外延层进行刻蚀去除第一部分的第二外延层，余留的第二部分的第二外延层构成第一掺杂类型的体区；在去除第一部分的第二外延层的区域进行第三次外延掺杂形成第二掺杂类型的漂移区；在漂移区内形成浅槽隔离区；形成源漏区和栅极结构。本发明采用三次外延掺杂工艺形成高压PN结，降低工艺难度和制作成本，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmosfet 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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