[发明专利]一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块在审
| 申请号： | 202210297069.X | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695290A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王来利;赵成;杨俊辉;袁天舒;吴世杰;聂延 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/49;H01L25/07;H02M1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力半导体封装技术领域，尤其涉及一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块，包括DBC基板、连接节点、对称设置于DBC基板上的上半桥臂和下半桥臂，所述DBC基板包括陶瓷层和两层导电层，所述陶瓷层设置于两层导电层之间；所述上半桥臂和下半桥臂均包括对称且并联设置的六枚SiC MOSFET芯片，在上半桥臂中，所述SiC MOSFET芯片的漏极与DC+节点连接，所述SiC MOSFET芯片的功率源极与AC节点连接，所述SiC MOSFET芯片的驱动源极与第一源极节点连接，所述SiC MOSFET芯片的栅极与第一栅极节点连接。本发明通过调整源极键合线参数以及布局的对称性，优化了传统功率模块中多芯片并联使用中存在的电流分配不均问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sic mosfet 芯片 并联 模块 | ||
【主权项】：
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