[发明专利]一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构在审
申请号: | 202210298218.4 | 申请日: | 2022-03-25 |
公开(公告)号: | CN114657538A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 田玉峰 | 申请(专利权)人: | 厦门韫茂科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人: | 陈晓思 |
地址: | 361000 福建省厦门市软件*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种连续式ALD镀膜设备的腔体结构,涉及原子层沉积领域。其中,这种腔体结构包含箱体组件和密封组件。箱体组件包括依次连接的加热腔体、连接腔体和冷却腔体,以及配置于连接腔体内的镀膜腔体。所述箱体组件还包括配置于所述连接腔体的第一检修门;密封组件包括配置于箱体组件的六个插板门。第一个插板门和第二个插板门分别用以连通镀膜腔室和连接腔室。第三个插板门用以连通加热腔室和连接腔室。第四个插板门用以连通连接腔室和冷却腔室。第五个插板门用以连通加热腔室和加热腔体的外部。第六个插板门用以连通冷却腔室和冷却腔体的外部。通过六个插板门来密封大大的缩短腔体结构的长度,减小占地面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 连续 ald 镀膜 设备 结构 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的