[发明专利]抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器在审
| 申请号： | 202210301952.1 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114708894A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 秦家军;常泽光;赵雷;安琪 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/417 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;付久春 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子翻转的低功耗SRAM存储单元电路及存储器，电路包括：其中，七个NMOS管和四个PMOS管，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管组成施密特触发器；第四PMOS管和第四NMOS管组成一个反相器；施密特触发器输出端连到反向器输入端，反向器输出端连到施密特触发器输入端；构成施密特触发器的第三PMOS管MP3管的漏极和第三NMOS管管的源极连到反向器输出端。这种存储单元电路使得作为第一存储节点Q的第二PMOS管的漏极与第二存储节点Qb的第四PMOS管的漏极为互锁的节点，提升了对抗单粒子翻转的性能，且电路结构相对简单，功耗较低，也便于制造。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 翻转 功耗 sram 存储 单元 电路 存储器 | ||
【主权项】：
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