[发明专利]一种双载流子MoS2有效

专利信息
申请号: 202210311623.5 申请日: 2022-03-28
公开(公告)号: CN114823971B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 申请(专利权)人: 国科大杭州高等研究院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;C01G39/06
代理公司: 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 代理人: 章蔚强
地址: 310012 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种双载流子MoS2二维材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1,制备过热态溶剂,通过将装有溶剂且带磨口塞的容器置于恒温烘箱中获得;步骤2,利用干法剥离或CVD法制备少层或单层MoS2;步骤3,将MoS2生长或转移至无机衬底上作为待处理片;步骤4,将待处理片置于装有溶剂且带磨口塞的容器中,将容器放于一定温度的恒温烘箱中放置一段时间;步骤5,取出待处理片得到双载流子MoS2二维材料。本发明能够便捷高效的制备双载流子MoS2二维材料。
搜索关键词: 一种 载流子 mos base sub
【主权项】:
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