[发明专利]一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210311731.2 | 申请日： | 2022-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN114824068A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 单玉凤;朱家旗;殷子薇;邓惠勇;戴宁 | 申请（专利权）人： | 国科大杭州高等研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 310012 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电压(1V)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 层状 铜基硫族 化合物 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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