[发明专利]抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法有效
申请号: | 202210316224.8 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN114645265B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 宋晓彬;申震;闫志顺 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/50;C23C16/34;C23C16/52 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 周永强 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种抽真空系统、半导体工艺设备及抽真空的方法,涉及半导体领域。一种抽真空系统包括:多组第一抽真空组件以及第二抽真空组件;多组第一抽真空组件与多组工艺腔室组一一对应连接,第一抽真空组件包括第一真空泵和多条第一抽真空管路,多条第一抽真空管路的出口端与第一真空泵连接,入口端与工艺腔室组中的多个工艺腔室一一对应连接;第二抽真空组件包括第二真空泵和第二抽真空管路,第二抽真空管路的出口端与第二真空泵连接,入口端与多个工艺腔室分别连接。半导体工艺设备,包括抽真空系统。一种抽真空的方法,应用于半导体工艺设备。本申请至少解决常规设备占用面积大的问题。 | ||
搜索关键词: | 真空 系统 半导体 工艺设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210316224.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的