[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210319629.7 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN114678416A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郑会晟;姜太星;申东石;李公洙;李准原 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王学强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括形成有单元区域的第一区域和形成有核心‑外围区域的第二区域；栅极堆叠件，位于基底的第二区域上，栅极堆叠件包括包含氧化物的第一栅极绝缘膜、位于第一栅极绝缘膜上的包括铪的第二栅极绝缘膜、位于第二栅极绝缘膜上的包括镧和氮化钛的第一电极、位于第一电极上的第二电极；栅极堆叠绝缘膜，接触栅极堆叠件的侧表面和顶表面；杂质区域，具有设置在基底的第二区域中位于栅极堆叠件的至少一侧上的堆垛层错；氮化硅膜，覆盖杂质区域的上表面，氮化硅膜与栅极堆叠绝缘膜接触；以及接触件，穿过氮化硅膜延伸至杂质区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210319629.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：富集镍的方法及提炼镍的物料
- 下一篇：一种用于环境地质勘测的钻孔装置
- 同类专利
- 专利分类
