[发明专利]二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件有效
| 申请号： | 202210321021.8 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114477105B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 张凯;李杰;张严;张君蓉;汪永杰;俞强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;H01L29/24;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维BiCuSeO纳米片及其制备方法、半导体器件，该制备方法包括：提供一反应装置，所述反应装置包括低压的反应腔室，该反应腔室具有依次间隔设置的第一区域和第二区域；将含硒前驱体放置于第一区域，含铜前驱体和含氧前驱体放置于第二区域；生长基底放置于二区域，倒扣于含铜前驱体和含氧前驱体上方；热处理，含硒前驱体、含铜前驱体和含氧前驱体蒸发、反应，并在生长基底表面获得BiCuSeO纳米片。本发明通过一种化学气相沉积（CVD）方法，实现了最小厚度7.6nm、横向尺寸最大270μm的二维BiCuOSe纳米片的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 bicuseo 纳米 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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