[发明专利]半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置在审
| 申请号： | 202210324330.0 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114721235A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 陈利解;门松明珠;周爱和 | 申请（专利权）人： | 昆山一鼎工业科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;H01L21/48 |
| 代理公司： | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人： | 吴霜 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路引线框架蚀刻制造的技术领域，具体涉及半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置，这种半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置包括：相对设置的上显影槽和下显影槽；上显影槽的下部设置有若干上喷嘴，下显影槽的上部设置有若干下喷嘴，上喷嘴和下喷嘴错位相对，若干上喷嘴为阵列分布，一列上的上喷嘴呈W分布，若干下喷嘴为阵列分布，一列上的下喷嘴呈W分布；上显影槽和下显影槽设置有上下移动机构。这种半导体引线框架蚀刻产品制造的蚀刻装置具有多角度清除产品表面微小颗粒残留，便于后续加工，提升产品质量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 引线 框架 蚀刻 产品 制造 装置 | ||
【主权项】：
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