[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210325853.7 | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114725118A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张鹏飞;陈金星;李贝贝 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括在衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括位于所述第一堆叠层两端的第一连接区堆叠层、以及位于所述第一连接区堆叠层之间的第二连接区堆叠层。然后形成覆盖所述第一连接区堆叠层和所述第二连接区堆叠层的保护层，最后对保护层未覆盖的所述第一堆叠层进行刻蚀。其中，所述第一连接区堆叠层在第二方向的宽度大于所述第二连接区堆叠层在第二方向的宽度，因此不会导致第一连接区堆叠层和第一连接区堆叠层附近的第二连接区堆叠层上的保护层偏薄，由此可以减少第一连接区堆叠层和附近第二连接区堆叠层上的保护层被侧掏，进而使保护层能够有效保护第一连接区堆叠层和第二连接区堆叠层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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