[发明专利]深紫外LED外延片、制备方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202210326620.9 | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114566578A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 韩娜;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王广浩;唐灵 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED外延片，包括在衬底上依次生长的氮化物缓冲层、氮化物过渡层、n型氮化物层、量子阱有源层、电子阻挡层、接触层；其中，电子阻挡层为BAlN阻挡层；量子阱有源层包括多个交替生长的AlGaN量子阱层/AlGaN量子垒层，及最后一层量子阱结构为AlGaN/BAlN。本发明利用BAIN阻挡层取代常规的p型AlGaN电子阻挡层，可以减小与量子阱的界面缺陷，规避高Al组分AlGaNEBL的p型掺杂问题。同时，为了进一步提升最后一个量子阱的波函数重叠率，在最后一层量子阱采用AlGaN/BAlN，提高了最后一层量子阱的波函数重叠率，量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高了深紫外LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高了深紫外LED的功率和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 led 外延 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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