[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统在审
| 申请号： | 202210331602.X | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114725204A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 卢峰;霍宗亮;周文斌;杨子晋;魏健蓝 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 赵伟 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统，半导体结构包括基底、堆叠结构以及栅缝隙结构，其中，堆叠结构设置于基底上，包括多个栅极结构以及将多个栅极结构电隔离的绝缘层，多个栅极结构沿平行于基底的第一方向延伸，且栅极结构的材料包括金属硅化物，栅缝隙结构沿垂直于基底的纵向穿过堆叠结构而延伸至基底中，并沿平行于基底且垂直于第一方向的第二方向延伸，且其中，绝缘层还位于栅缝隙结构和多个栅极结构之间，本发明提供的半导体结构，通过使用金属硅化物作为栅极结构的材料，代替了通过置换工艺制备的栅极结构，从而有效地避免了置换工艺中产生的氟在后续工艺中对半导体结构造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
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