[发明专利]一种纳米粉体改性碳化硅-碳化硼复相陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202210336523.8 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114591086B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 孙孟勇;杨双燕;张武;高晓菊;李国斌;尹飞;曲俊峰;童鹤;郭敏;栾承华 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业第五二研究所烟台分所有限责任公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/563;C04B35/622 |
| 代理公司： | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人： | 申玉娟 |
| 地址： | 264000 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种纳米粉体改性碳化硅‑碳化硼复相陶瓷，按照质量百分比计，包括：碳化硅粉体与碳化硼粉体90wt％～98wt％，碳粉1wt％～5wt％，氧化锆粉体1wt％～5wt％，纳米石墨烯粉体1wt％～5wt％；其中，碳化硅粉体与碳化硼粉体的质量比为1:4～4:1；碳化硅粉体包括纳米碳化硅粉体与微米碳化硅粉体，纳米碳化硅粉体质量为5wt％～20wt％，碳化硼粉体包括纳米碳化硼粉体与微米碳化硼粉体，纳米碳化硼粉体粉体质量为5wt％～20wt％。本发明还提供了上述复相陶瓷的制备方法，包括步骤：(1)一次纳米粉体混合；(2)二次粉体混合；(3)喷雾造粒；(4)压力成型；(5)预烧结；(6)终烧结。本发明能够制备得到硬度、强度均得到提高的SiC‑B |
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| 搜索关键词： | 一种 纳米 体改 碳化硅 碳化 硼复相 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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