[发明专利]使用光掩模制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202210338407.X | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN115145124A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 张仲豪;陈明威;马艾杰;陈庆跃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低于大气压的减压下。在该减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热EUV掩模。在加热之后，EUV掩模被储存在掩模储料器中。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光掩模 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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