[发明专利]半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210339831.6 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114785160A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;谢荣才 | 申请（专利权）人： | 广东汇芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/5387;H02M7/219;H02M1/088;H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 曹振;罗凯欣 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法，包括驱动HVIC芯片、高侧驱动模块和低侧驱动模块；驱动HVIC芯片与高侧驱动模块电连接，高侧驱动模块包括三个上桥功率元件，上桥功率元件为RC‑IGBT结构；驱动HVIC芯片与低侧驱动模块电连接，低侧驱动模块包括三个下桥功率元件，下桥功率元件包括IGBT管和续流二极管；上桥功率元件的输入端与驱动HVIC芯片电连接；本申请旨在提供一种半导体电路及使用其的封装结构及封装结构的制备方法，上桥使用RC‑IGBT结构，下桥使用IGBT管和续流二极管的结构，降低模块成本，同时也能使模块具有高输入阻抗、低控制功率、驱动电路简单、开关速度快、导通压降低、通态电流大、损耗小、更好的反向恢复能力等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 使用 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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