[发明专利]一种NTD单晶硅退火工艺在审
| 申请号： | 202210341481.7 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114990693A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;胡锦国;张震;苗向春;孙健;谭永麟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02;B28D1/08;G01N27/04 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 聂铭君 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NTD单晶硅退火工艺，该退火工艺包括如下步骤：S1、NTD单晶硅切割样片；利用切割设备切割NTD单晶硅头尾两端的NTD单晶硅样片；S2、NTD单晶硅样片热处理；对切割后的NTD单晶硅样片进行酸腐清洗，酸腐清洗后的NTD单晶硅样片入炉进行热处理退火；S3、NTD单晶硅样片检验判定及加工。本发明所述的一种NTD单晶硅退火工艺对NTD单晶进行样片热处理退火工艺，同时对样片热处理工艺进行实验优化，成功解决NTD热处理后电阻率恢复不稳定和硅片电阻率一致性差的问题，且获得无辐照缺陷损伤的完整晶格和电阻一致性表现更为稳定的电阻率参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ntd 单晶硅 退火 工艺 | ||
【主权项】：
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