[发明专利]一种用作久储相变存储介质的Ru-Sb-Te合金溅射靶材及其制备方法在审
| 申请号： | 202210342072.9 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN114892133A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王传军;闻明;施晨琦;沈月;许彦亭;巢云秀;李思勰;谭志龙;管伟明 | 申请（专利权）人： | 昆明贵研新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C5/04;B22F9/04;B22F3/15;B22F3/14;B22F3/24 |
| 代理公司： | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人： | 姜开侠 |
| 地址： | 650106 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用作相变存储介质的高性能Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材。所述Ru‑Sb‑Te合金溅射靶材由原料钌Ru、锑Sb和碲Te按化学式Rux(Sb2Te)100‑x组成的合金靶材，其中，x为Ru元素的原子百分比，1≤x≤10；尤其x为3或5；所述原料为Ru、Sb、Te三种单质金属或任意两种元素的化合物。制备方法以钌、锑、碲或其任意两种元素的化合物为原料，通过熔铸法制备Ru‑Sb‑Te合金粉末；通过机械破碎、加压烧结获得靶材坯料，最后加工成型获得靶材。本发明通过钌的添加，改善了Sb2Te化合物相变温度低，热稳定性差等缺点；通过熔炼后粉末制备和加压烧结，获得较好均匀性和高致密度溅射靶材，避免直接熔铸制备的靶材熔炼缺陷多、晶粒粗大、加工性差等缺点；充分满足相变存储领域对RST靶材的高要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用作 相变 存储 介质 ru sb te 合金 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明贵研新材料科技有限公司，未经昆明贵研新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210342072.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
