[发明专利]钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210346611.6 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114823348A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王朋;魏亚菊;吴越;吴小平;徐凌波;林萍;崔灿 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/074 |
| 代理公司： | 郑州丞企知识产权代理事务所(普通合伙) 41204 | 代理人： | 柳恒雨 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于太阳能电池领域，具体涉及钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用。制备方法包括：一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。本发明有效减少了氧化钨中的氧空位。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化钨 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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