[发明专利]五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202210346612.0 | 申请日： | 2022-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN114823346A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王朋;刘粲;魏亚菊;林宇昊;吴越;吴小平;崔灿 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/074 |
| 代理公司： | 郑州丞企知识产权代理事务所(普通合伙) 41204 | 代理人： | 柳恒雨 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用，方法包括：一、将金属氧化物粉末和五价金属元素氧化物研磨混合，并置于蒸发舟中，其中，五价金属元素氧化物包括五氧化二钒粉末、氧化铌粉末或氧化钽粉末，金属氧化物粉末包括三氧化钨粉末或三氧化钼粉末；二、将衬底插入热蒸发设备腔体顶部的样品槽中；三、将腔体抽真空，直到真空度小于10 |
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| 搜索关键词： | 金属元素 掺杂 金属 氧化物 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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