[发明专利]半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储装置

摘要

本发明提供半导体器件的制作方法、半导体器件以及三维存储装置，制作方法包括：提供衬底，衬底包括相邻的第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域上依次形成氧化层和第一掩膜层；在衬底中形成位于第一区域的第一浅沟槽隔离结构以及位于第二区域的第二浅沟槽隔离结构；依次刻蚀位于第二区域的第一掩膜层、第二浅沟槽隔离结构以及氧化层，以于第二区域形成为第二浅沟槽隔离结构所隔开的突起结构，并保留位于第一区域的第一掩膜层和氧化层，以于第一区域分别形成第一栅极层和第一栅氧化层。通过在第二区域形成突起结构来对应鳍结构，保留第一掩膜层和氧化层作为第一区域的栅极层和栅氧化层，提升在不同区域形成不同类型晶体管的效率。