[发明专利]晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件在审
| 申请号： | 202210349420.5 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN114883207A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 肖文静;尹朋岸;严孟;胡思平;王欢;伍术;王超;姜有东;锁志勇;张育龙;王永平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;徐川 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件，所述方法包括：提供多个待键合晶圆，每个所述待键合晶圆的表面具有介质层，且所述介质层内具有键合凹槽；在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点；对至少两个所述待键合晶圆进行键合对准，使得所述待键合晶圆上的所述预键合触点一一接触；进行退火处理，使得至少两个所述待键合晶圆键合，所述预键合触点键合为具有第二晶粒尺寸的融合键合触点。上述方法中，对小晶粒的预键合触点进行退火处理，能够降低退火处理温度、缩短退火处理时间，避免待键合晶圆在长时间高温的退火处理中失效的同时，还能够确保待键合晶圆完成键合后的键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 键合晶圆 存储器 芯片 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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