[发明专利]制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备在审
| 申请号： | 202210355747.3 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114725144A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 王文君 | 申请（专利权）人： | 三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈晓博;尹淑梅 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了制造半导体封装件的方法、半导体封装件及成像设备。所述制造半导体封装件的方法包括：制备具有第一连接区域的基板和具有第二连接区域的传感器芯片；在基板的第一连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第一键合层；在传感器芯片的第二连接区域上设置包括具有不同熔点梯度的多层纳米低熔点金属材料的第二键合层；将基板与传感器芯片彼此叠置以使第一键合层和第二键合层彼此对准并压紧，获得复合结构；并且将复合结构在30‑180℃的温度、1‑8Mpa的压力、10‑30kHz的超声波下处理一段时间以使第一键合层与第二键合层形成共晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 封装 方法 成像 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社，未经三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210355747.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
