[发明专利]一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202210356241.4 | 申请日： | 2022-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN114655947A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 孙靖宇;刘忠范;赵宇;慈海娜 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;B01J23/28 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯的方法。该生长方法是将Mo金属溅射在绝缘衬底上；将溅射有Mo金属的绝缘衬底依次进行氧化处理、碳化处理，CVD生长石墨烯，然后去除Mo金属层，完成绝缘衬底上Mo催化生长石墨烯。该方法对溅射的Mo金属进行先氧化后碳化的预处理，在生长结束后，Mo金属层很容易被高速气流吹掉，直接在绝缘衬底表面获得石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 衬底 mo 催化 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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